Le SiO2 est un composé diélectrique, utilisé en Microélectronique où il sert comme couche de passivation, d’oxyde de grille pour les applications de transistor Mosfet ou encore comme couche antireflet.

Les caractéristiques technologiques couvrent les exigences classiques des wafers Si Monocristallin suivant les couches souhaitées

  • TYPE N, TYPE P
  • Orientation <100>, <111>,…
  • Finition SSP, DSP, TTV…

En savoir plus sur les wafers SiO2 et SOI

Le SiO2 est aussi largement utilisé dans les procédés SOI (Silicon On Insulator) comme couche intermédiaire entre SOI et Bulk, son épaisseur dépend du résultat souhaité en général de l’ordre du micron. Les applications concernent les MEMS, les circuits de puissance, capteurs de pression…

A ce sujet il faut noter l’importance de la couche SOI qui doit être inférieure à 2µ pour des diamètres supérieurs A 100 mm, ainsi pour une couche SOI < 2µ le diamètre du wafer ne peut être que 150 mm suivant les applications actuelles. Les produits pour des couches supérieures à 2µ sont encore accessibles pour un diamètre plus faible.

Ce type fourni une solution potentielle pour la grande vitesse et un dispositif de faible consommation d’énergie et a été largement reconnu comme une nouvelle solution en tension mais aussi pour les composants RF. Les plaquettes SOI sont une structure en sandwich comprenant une couche de dispositif (couche active) sur le dessus, un groupe (couche d’isolant SiO2) couche d’oxyde enterrée dans le milieu, et un substrat Si.

Le SiO2 par ailleurs est un composé très peu réactif, il n’est pas soluble dans les solvants organiques,  très faiblement attaqué par les solutions alcalines (sauf sous forme de silice fondue). Sa solubilité dans l’eau est faible dans les conditions ambiantes mais augmente sensiblement en fonction de la température et de la pression.

Les silices amorphes microporeuses sont plus facilement solubles que les formes cristallines.

Fiche de definition

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